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深圳京柏微科技有限公司
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WGB065011是一種增強型硅上氮化鎵電源晶體管。氮化鎵的特性允許大電流，高電壓擊穿和高開關頻率。WGB065011是一種底側冷卻晶體管，提供非常低結到外殼的熱電阻要求高電力的應用程序。這些功能結合起來提供非常高效率電源開關。
WGB065011特性：
?650V增強型功率晶體管
?底部冷卻，小PDFN5060包裝
?RDS(on) = 150mΩ
?IDS(max) = 11A?超低FOM
?簡單門驅動要求(0V ~ 6V)
?瞬態(tài)容錯門驅動器(-20V / +10V)
?高切換頻率(> 1MHz)
?快速可控的升降時間
?反向傳導能力
?零反向恢復損失
?源感(SS)引腳優(yōu)化門驅動器
?符合RoHS 3(6+4)標準
應用程序?電源適配器
?LED照明驅動器
?電池快速充電
?功率因數校正
?家電電機驅動
?無線傳輸
?工業(yè)電源
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表，研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵應用范圍廣泛，作為支撐“新基建”建設的關鍵核心器件，其下游應用切中了“新基建”中5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領域。此外，氮化鎵的高效電能轉換特性，能夠幫助實現光伏、風電（電能生產），直流特高壓輸電（電能傳輸），新能源汽車、工業(yè)電源、機車牽引、消費電源（電能使用）等領域的電能高效轉換，助力“碳達峰，碳中和”目標實現。
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
