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深圳京柏微科技有限公司
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Wayon維安MOS代理商|維安MOS 20V/55A P溝道MOS WMQ55P02T1
時(shí)間：2023-07-16 發(fā)布人：京柏微 點(diǎn)擊量：
Wayon維安MOS管WMQ55P02T1：
20V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
WMQ55P02T1采用先進(jìn)的電源溝槽技術(shù)，已特別定制，以盡量減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻，但保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。
Features
? VDS= -20V, ID = -55A RDS(on) < 8.2 @ VGS = -4.5V RDS(on) < 10mΩ @ VGS = -2.5V
? Green Device Available
? Low Gate Charge
? Advanced High Cell Density Trench Technology
? 100% EAS Guaranteed
