功率半導(dǎo)體的技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展致力于提高能量的轉(zhuǎn)換效率，而Si器件的性能已接近材料瓶頸，第三代（寬禁帶）半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，恰好彌補了Si材料性能的不足。其臨界擊穿場強高，禁帶寬度高，電子飽和漂移率高，熱導(dǎo)率和耐溫高等材料特性，使SiC器件在高頻率、高效率，高功率密度等維度上擁有無可比擬的優(yōu)勢。

維安作為功率控制領(lǐng)域全方案供應(yīng)商，繼SiC肖特基二極管后，又開發(fā)完成了SiC MOSFET系列產(chǎn)品，產(chǎn)品電壓涵蓋1200V~1700V，電阻涵蓋32mΩ~50Ω，并根據(jù)產(chǎn)品應(yīng)用的需求，推出TO-247-3L，TO-247-4L，TO-263-7L等封裝。產(chǎn)品適用于工業(yè)及新能源行業(yè)的充電樁，光伏逆變器，儲能逆變器，高性能輔助電源等應(yīng)用場景。

#維安SiC MOSFET產(chǎn)品Road Map

#維安SiC MOSFET產(chǎn)品系列

T2B系列

• 推薦開通電壓 15V

• 優(yōu)異的FOM特性

• 高開關(guān)速度

• 極低的開關(guān)損耗

• 高阻斷電壓及低導(dǎo)通電阻

• 體二極管的低Qrr

• 關(guān)斷損耗不隨溫度升高而變大

• 無鹵，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

T2C系列

• 推薦開通電壓 18V

• 經(jīng)濟性

• 高開關(guān)速度

• 易于并聯(lián)使用和驅(qū)動

• 高阻斷電壓及低導(dǎo)通電阻

• 優(yōu)異的雪崩性能

• 關(guān)斷損耗不隨溫度升高而變大

• 無鹵，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

#維安SiC MOSFET應(yīng)用推薦

光伏：升壓電路和逆變電路

• 更高的頻率，更低的開關(guān)損耗

• 更高的功率密度

充電樁模塊：維也納整流和DCDC變換

• 更高的功率密度

• 更高的開關(guān)頻率

• 更低的諧波

輔助電源：WSCM01Kx170T2C

• 更低的內(nèi)阻，12V驅(qū)動電壓下，Rdson僅為1Ω

• 提供TO-263-7L和TO-247-3L，兩種通用封裝

• 更低的損耗，更小的占板面積

#維安SiC MOSFET碳化硅定制模塊產(chǎn)品系列

針對SiC模塊的市場需求，WAYON同時也拓展了定制業(yè)務(wù)，可根據(jù)客戶需求做全碳化硅，IGBT&SiC混合模塊，SiC二極管的模塊定制開發(fā)。

模塊產(chǎn)品因其電路簡單，回路寄生參數(shù)低；熱阻低，散熱好，功率密度高等特點，更適用于高可靠性、高功率密度要求的應(yīng)用場景，并帶來更高的產(chǎn)品價值。

全SiC定制模塊產(chǎn)品：