什么是MO管？
       MOS管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

      場效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導(dǎo)， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。

     場效應(yīng)管通過投影P溝道m(xù)os管符號一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)。因?yàn)镸OS管更小更省電，所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。

       維安提供各類功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括500V/ 600V/ 650V/ 700V/ 800V/  900V/ 950V/ 1050V/ 1200V高壓超級結(jié)MOSFET（SJ-MOS）系列產(chǎn)品、 600V/ 650V/ 700V高壓VDMOS（HV-VDMOS）系列產(chǎn)品、低壓功率MOSFET （LV-MOS）系列產(chǎn)品、肖特基二極管（Schottky Diode）等。維安功率半導(dǎo)體 產(chǎn)品采用先進(jìn)的制造工藝、全球領(lǐng)先的專利封裝技術(shù)，具有低功耗和高可靠性， 已在充電器、TV、適配器、LED照明、PC、服務(wù)器及汽車充電樁等領(lǐng)域得到廣泛 應(yīng)用。  維安提供應(yīng)對過電流、過電壓、過溫及抗電磁干擾的廣泛的電路保護(hù)產(chǎn)品。包 括自恢復(fù)保險絲（PPTC）、瞬態(tài)電壓抑制器（TVS、SESD Arrays）、多功能集 成保護(hù)IC（ESD/EMI）、靜電抑制器（ESD）、晶閘管浪涌保護(hù)器（TSS）、氣 體放電管（GDT）、玻璃放電管（SPG）、片式獨(dú)石熔斷器（Chip Fuse）、溫 度保險絲（Thermal Fuse）、陶瓷熱敏電阻（CPTC）、防雷模塊（SPD）、壓 敏電阻（MOV）、PCM保護(hù)模塊等，應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋移動通信、計算機(jī)系統(tǒng)、汽 車電子、數(shù)字消費(fèi)類電子、電池、安防監(jiān)控、儀器儀表、家用、工控設(shè)備等。

       維安WMO18N20T2使用了先進(jìn)的電源溝槽技術(shù)，該技術(shù)特別定制以最小化狀態(tài)電阻，同時保持優(yōu)越的開關(guān)性能。

20V-250V Trench N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMO18N20T2

2.Package：TO-252

3.VDS(V)：200

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：18

6.VGS(th)(V)(Typ.)：2

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：130

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：150