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      WAYON維安高壓超結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌

      WAYON維安高壓超結(jié)MOSFET,輕松解決LED電源浪涌

      LED作為新型照明光源,具有高效節(jié)能、工作壽命長等優(yōu)點,目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅(qū)動特征需要特定的AC-DC恒流驅(qū)動電源,為了提高電源能效,LED的驅(qū)動電源一般采用單級PFC的拓?fù)?/div>
      產(chǎn)品概述

              LED作為新型照明光源,具有高效節(jié)能、工作壽命長等優(yōu)點,目前已廣泛使用于LED顯示、車用電子、生活照明等各種照明場景。LED恒流驅(qū)動特征需要特定的AC-DC恒流驅(qū)動電源,為了提高電源能效,LED的驅(qū)動電源一般采用單級PFC的拓?fù)洹?br/>

      圖一 單級PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

      如圖一所示,單級PFC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在輸入端整流橋與高壓MOSFET之間沒有高容量的電解電容,在遭遇雷擊浪涌時,浪涌能量很容易傳輸?shù)組OSFET上,高壓MOSFET VDS易過電壓,此時MOSFET很容易發(fā)生雪崩現(xiàn)象。在開關(guān)電源中,研發(fā)工程師要求MOSFET盡可能少發(fā)生或不發(fā)生雪崩。
           
              雪崩是指MOSFET上的電壓超過漏源極額定耐壓并發(fā)生擊穿的現(xiàn)象。圖二為600V MOSFET的安全工作區(qū)示意圖,圖中紅色標(biāo)線為安全工作區(qū)的右邊界。雪崩發(fā)生時,漏源兩端的電壓超過額定BVDSS,并伴隨有電流流過漏源極,此時MOSFET工作在此邊界的右邊,超出安全工作區(qū)(SOA)。

      圖二 某600V MOSFET安全工作區(qū)(SOA)

      如圖三所示雪崩測量電路及波形,一旦超出安全工作區(qū), MOSFET功耗將大增。左圖為雪崩測試的標(biāo)準(zhǔn)電路,右圖為雪崩期間的運(yùn)行波形。MOSFET在關(guān)斷時因VDS電壓過高而進(jìn)入雪崩狀態(tài),雪崩期間漏源極電壓電流同時存在,其產(chǎn)生的瞬時功耗達(dá)到數(shù)KW,會大大影響整個電源的可靠性。且雪崩期間,必須保證其溝道溫度不超過額定溝道溫度,否則容易導(dǎo)致器件過溫失效。

      圖三 雪崩測量電路及波形

      那么,應(yīng)該如何避免MOSFET應(yīng)用時的雪崩破壞呢?從浪涌防護(hù)的角度來說,電源工程師可以增加AC輸入端浪涌防護(hù)元件的規(guī)格,使AC前端器件防護(hù)元件吸收掉絕大部分浪涌能量,降低浪涌殘壓,如增加壓敏電阻的尺寸、選擇殘壓更低的壓敏以及增加RCD浪涌吸收電路等。另外,亦可選擇更高電流ID或者更高耐壓規(guī)格的MOSFET避免其自生發(fā)生雪崩,但更高的ID往往意味著更高的成本,故而,選擇更高耐壓規(guī)格成為一種更簡易安全且極具性價比的方案。


      圖四 800V MOSFET浪涌測試波形

      CH2 VDS (藍(lán)色 200V/div)

      CH3 IDS (紫色 1A/div)


      圖五 650V MOSFET浪涌測試波形

      CH2 VDS (藍(lán)色 200V/div)

      CH3 IDS (紫色 1A/div)

      圖四為使用耐壓為800V MOSFET的LED驅(qū)動電源在浪涌發(fā)生的波形。圖五為耐壓為650V MOSFET的50W LED驅(qū)動電源在浪涌發(fā)生時的波形,二者的浪涌測試條件完全相同。

      圖四圖五中VDS波形突然升高的時刻即為浪涌來臨的瞬間,圖四中的VDS最大電壓為848V,圖五中VDS最大電壓為776V。雪崩消耗的能量來自于浪涌,圖五中650V MOSFET關(guān)斷期間還有較大的漏源電流流過,雪崩現(xiàn)象比較明顯。圖四中800V MOSFET在關(guān)斷期間電流為0,沒有發(fā)生雪崩現(xiàn)象,表明傳輸?shù)狡骷系睦擞磕芰坎蛔阋砸鹧┍?,可見在該電源中使?00V耐壓的MOSFET大大提高了浪涌安全裕量,避免器件發(fā)生雪崩。

      在LED驅(qū)動電源,工業(yè)控制輔助電源等應(yīng)用中,電源工程師在設(shè)計浪涌防護(hù)時,可選擇耐壓更高的MOSFET,耐壓高的器件可將浪涌能量擋在AC 輸入端,讓輸入端口的MOV防護(hù)器件來吸收,避免MOSFET超過安全工作區(qū)。這樣可以大大提高整機(jī)電源的浪涌防護(hù)能力。

      LED作為21世紀(jì)的綠色照明產(chǎn)品,正在大量取代傳統(tǒng)的光源。依托龐大的LED市場,國產(chǎn)器件在SJ MOSFET領(lǐng)域替換進(jìn)口品牌的潛力極大。維安結(jié)合市場和客戶的需求,在產(chǎn)品工藝、封裝上持續(xù)創(chuàng)新,針對LED照明領(lǐng)域通用的800V以上耐壓的規(guī)格,在產(chǎn)品系列、規(guī)格尺寸上也更加齊全。

      表一 維安800V SJ-MOSFET 主推規(guī)格列表

      Part No.PackageConfigurationTypeESDVDSVgs MaxID at 25℃VGS(th)Rds(on)CissCossCrss備注
      Typ.Vgs=10VVgs=4.5V
      VVA(Max.)VmΩ(Max.)mΩ(Max.)pF(Typ.)pF(Typ.)pF(Typ.)
      12V-100V Trench P Channel Power MOSFET
      WM01P75RDFN2*2-6LSinglePNO-12±8-7.5-0.65/261260400350
      WM02P160RDFN2*2-6LSinglePNO-20±10-16-0.65/172895303280重點推廣料號
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      WMS15P02T1SOP-8LSinglePNO-20±10-15-0.65/8.23138602565新品主推
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      20V-250V Trench N Channel Power MOSFET
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