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松木ME2345A-G替換AOS AO3401A，P溝道30V低壓MOS管方案

ME2345A是使用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)的P通道邏輯增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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產(chǎn)品概述

ME2345A是使用高單元密度DMOS溝槽技術(shù)生產(chǎn)的P通道邏輯增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種高密度工藝經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，可最大程度地降低導(dǎo)通電阻。這些設(shè)備特別適合低壓應(yīng)用，例如蜂窩電話和筆記本計(jì)算機(jī)電源管理以及其他電池供電的電路，在這些應(yīng)用中，需要在非常小的外形表面安裝封裝中進(jìn)行開關(guān)和低串聯(lián)電源損耗。

松木ME2345A特征：

●RDS（ON）≤68mΩ@ VGS = -10V

●RDS（ON）≦80mΩ@VGS=-4.5V

●RDS（ON）≦100mΩ@VGS=-2.5V

●超高密度電池設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)極低的RDS（ON）

●出色的導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

松木ME2345A應(yīng)用領(lǐng)域：

●筆記本中的電源管理

●便攜式設(shè)備

●電池供電系統(tǒng)

●負(fù)荷開關(guān)

●DSC引腳配置

松木ME2345A-G替換AOS AO3401A，P溝道30V（D-S）低壓MOS管
AO3401A參數(shù)：

TheAO3401A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or other general applications.

商品目錄	場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)
類型	P溝道
漏源電壓(Vdss)	30V
連續(xù)漏極電流(Id)	4A
功率(Pd)	1.4W
導(dǎo)通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)	44mΩ@10V,4.3A
閾值電壓(Vgs(th)@Id)	1.3V@250μA

松木ME2345A-G替換AOS AO3401A，P溝道30V低壓MOS管方案.png

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