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深圳京柏微科技有限公司
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地址：深圳市南山區(qū)桃源街道平山社區(qū)平山一路2號南山云谷創(chuàng)業(yè)園二期6棟308
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產(chǎn)品概述
MOS管的工藝發(fā)展史：
維安MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
維安Trench MOS和SGT MOS器件結(jié)構(gòu)：
維安SGT技術(shù)優(yōu)勢有三大點：
1.功率密度顯著提升，溝槽挖掘深度深3-5倍
2.開關(guān)損耗極低， SGT具有低Qg 的特點，它的SGT結(jié)構(gòu)更有利于獲得更低的CGD/CGS比值。
3.EMI優(yōu)勢，維安MOS具有壓低瞬態(tài)震蕩的優(yōu)點。
維安SGT MOSFET借助高功率密度，低內(nèi)阻的優(yōu)點，在消費類，工業(yè)類等應(yīng)用領(lǐng)域占領(lǐng)了很大的市場。
例如：充電器，PC、OBC，筆電、無線充電等：
同步整流SGT MOS：
通訊電源、5G基站，BMS及電機控制：
維安作為國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先廠家，在2022年之后還會有MCU,IGBT模塊等新產(chǎn)品出來，關(guān)注維安代理商京柏微，將會給您帶來更多維安MOS，維安電源IC，維安MCU等資訊。
